|
Общие характеристики
Тип памяти: DDR3
Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Объем: 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Тайминги
CAS Latency (CL): 11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Row Precharge Delay (tRP): 11
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
Напряжение питания: 1.5 В
Количество ранков: 1 |
|